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元件参数资料
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参数目录49928
> RUF015N02TL MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
型号:
RUF015N02TL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RUF015N02TL PDF
产品目录绘图
TUMT-6 Package Top
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
110pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-SMD,扁平引线
供应商设备封装
TUMT3
包装
标准包装
产品目录页面
1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
RUF015N02TLDKR
查看RUF015N02TL代理商
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